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A Samsung tem planos para apresentar memórias NAND com 400 camadas ou mais logo em 2026. Ao menos é isso que indica o vazamento de um suposto roadmap da companhia, que o site Korea Economic Daily afirma ter obtido acesso.
Atualmente a Samsung produz memórias NAND com seu processo de 9ª geração do QLC, chamado V9. A tecnologia é capaz de entregar componentes com 286 camadas, então a ideia da empresa seria quase dobrar a quantidade de camadas que consegue empilhar em seus chips NAND em dois anos.

O número se tornaria possível com a introdução da próxima geração do processo da Samsung, o V10. Usando uma nova tecnologia de ligação entre componentes, a empresa poderia produzir o controlador e as células da memória em wafers separados e depois juntá-los num único componente.
O roadmap, segundo o Korea Economic Daily, também menciona a geração ainda seguinte à tecnologia V10, que seria a V11. Neste caso o avanço não seria tão voltado a um aumento no número de camadas, mas sim na melhoria de velocidade dos componentes, que poderia aumentar em até 50%.

Samsung quer liderar em NAND para IA
Como não poderia deixar de ser, IA parece o foco principal da Samsung no desenvolvimento de NAND. A empresa quer criar produtos com tantas camadas para suprir a crescente demanda por capacidades maiores de armazenamento, causada pela popularidade da tecnologia.
O pessoal do Korea Economic Daily menciona inclusive que a companhia estaria planejando um serviço de assinatura de SSD para empresas tech. A ideia da Samsung seria aproveitar os altos custos de servidores de IA para criar um novo mercado de “aluguel de armazenamento”.
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Por fim, o site relembra que a Samsung tem planos ambiciosos para 2030. A empresa sul-coreana pretende romper a barreira das mil camadas em memórias NAND até lá, como parte de seu plano de se tornar uma líder no segmento de semicondutores.

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